ASML ve TSMC, 12 inç EUV fotomaskeye geçiş için iş birliği yapacak
ASML ile TSMC, yarı iletken sektöründe büyük formatlı EUV fotomaskeye geçişi yönetmek için ortak girişim başlattı. High NA EUV teknolojisi önce mevcut 6 inçlik maskelerle üretime alınacak, ardından 12 inçlik maskelerle desteklenecek. TSMC, High NA teknolojisini ileri düğümlerde yüksek hacimli üretimde 2030 yılından itibaren kullanmayı planlıyor.
ASML ve TSMC, yarı iletken sektörünün büyük formatlı Extreme Ultraviolet (EUV) fotomaskeye geçişine öncülük etmek için ortak bir girişim duyurdu. High NA EUV teknolojisi üretimde önce mevcut 6 inçlik maskelerle kullanılacak. Sektörün 12 inçlik maskelere geçişinin fab verimliliğini daha da artırması bekleniyor. Bu geçişin çip üretim maliyetlerini düşürmesi ve dikiş (stitching) kısıtlarını ortadan kaldırması öngörülüyor. TSMC, bu değişimin tüm yarı iletken sektörüne fayda sağlayacağını belirtti.
ASML CEO'su Christophe Fouquet, High NA EUV benimsenmesinin cihaz ölçeklendirme yol haritası boyunca kademeli olarak artmasını beklediklerini söyledi. Fouquet, sürecin önce 6 inçlik maskelerle başlayıp ardından 12 inçlik maskelerle destekleneceğini vurguladı. TSMC Yönetim Kurulu Başkanı ve CEO'su Dr. C.C. Wei ise sektör iş birliğinin tek bir şirketin tek başına ulaşamayacağı olanaklar sunduğunu ifade etti.
TSMC, ASML'nin High NA teknolojisini ileri düğümlerde yüksek hacimli üretimde 2030 yılından itibaren kullanmayı planlıyor. Teknoloji düğümleri ilerledikçe High NA EUV gerektiren katman sayısının artması bekleniyor. TSMC, bu artışın temel nedeninin yapay zeka uygulamaları için gereken giderek karmaşıklaşan transistör mimarileri olduğunu belirtti.