Teknoloji Radarı
ARA
Teknoloji RadarıYarı İletkenlerHafta2026-H43Bu haftaSayılar

← Geçmiş sayılar

Yarı İletkenler Bülteni - 19-25 Ekim 2026

Sayı #132026-10-19 – 2026-10-252026-H43Yayın

Haftanın manşeti

-

ABD Ticaret Bakanlığı, 4 şirketle 389 milyon dolara kadar Ar-Ge desteği için niyet mektubu imzaladı

ABD Ticaret Bakanlığı, CHIPS ve Bilim Yasası kapsamında dört şirketle toplam 389 milyon dolara kadar federal Ar-Ge desteği için niyet mektubu imzaladı. Destek, enerji altyapısı ve veri merkezleri için kritik güç yarı iletkenleri ve malzemelerine yönelik. Helion 175 milyon, Commonwealth Fusion Systems 85 milyon, Vertical Semiconductor 73 milyon, Sibelco ise 56 milyon dolara kadar destek alacak.

GÖRSEL · -

Yarı İletkenlerDuyuruldu

Öne çıkanlar6 kayıt

-

Samsung ve SK Hynix, Çin fabrikalarını daha gelişmiş çip üretimi için yükseltiyor

Samsung ve SK Hynix, Çin'deki NAND bellek fabrikalarını YMTC rekabetine ve yapay zeka kaynaklı talebe karşı yükseltiyor. Samsung, Xian tesisini 286 katmanlı V9 NAND üretimine dönüştürüyor ve 2027 sonuna kadar aylık 40.000 wafer hedefliyor. SK Hynix ise Dalian tesisinde 192 katmandan 240 katman ve üzerine geçmeyi planlıyor. İki şirket, ABD'nin 2022'den beri uyguladığı ihracat kontrolleri nedeniyle Çin'deki ekipman kurulumları için yıllık lisans almak zorunda.

GÖRSEL · image.cnbcfm.com

Yarı İletkenlerEkipman kurulumu

https://www.unite.ai/tr/nvidia-expands-supply-chain-capacity-with-six-manufacturing-partners/

NVIDIA, tedarik zinciri ortaklarıyla AI altyapısı için kapasiteyi genişletiyor

NVIDIA, altlık (substrate) kapasitesini önümüzdeki üç yılda 2,5 kat artırmak için IBIDEN, Samsung Electro-Mechanics ve Unimicron ile anlaştı. Amkor, Güney Kore'de interpozer wafer kapasitesini 2028 sonuna kadar yüzde 300'den fazla artıracak; KYEC'e ABD'deki yeni test tesisleri için 1,1 milyar dolarlık kapasite rezervasyon avansı sağlanıyor. SPIL ise eş-paketlenmiş optik için optik motor kapasitesini 2027 ortasına kadar 15 kat, 2028 sonuna kadar yeniden iki katına çıkarmayı hedefliyor.

GÖRSEL · -

Yarı İletkenlerİnşaat

Intel, Fab 62'ye üretim ekipmanı kurmaya başladı, 2028'de üretim hedefleniyor

Intel, Fab 62'ye üretim ekipmanı kurmaya başladı, 2028'de üretim hedefleniyor

Intel, Arizona'daki Fab 62 tesisine üretim ekipmanları kurmaya başladı; tesisin 2028 sonuna kadar faaliyete geçmesi hedefleniyor. Şirket, High-NA EUV litografisini yüksek hacimli üretime (HVM) entegre ettiğini doğruladı ve bu teknolojiyi Panther Lake çipleri için Oregon'daki D1X fabrikasında kullanıyor. Ohio'daki Ohio One kompleksinde ilk fabrikanın yapısal kirişi kuruldu, ancak takvim paylaşılmadı.

GÖRSEL · tomshardware.com

Yarı İletkenlerEkipman kurulumu

-

TSMC, Tainan'da yeni 3 nm fabrikası kuracak, üretim 2028'in ilk yarısında başlıyor

TSMC, 15 Ekim'deki yatırımcı toplantısında Tainan'da yeni bir 3nm fabrika kuracağını açıkladı. Üretimin 2028'in ilk yarısında başlaması planlanıyor. Şirket, artan 3nm talebini karşılamak için bir kısım 5nm kapasitesini 3nm'e kaydırıyor. Yeni fabrikanın yatırım tutarı ve kapasitesi açıklanmadı.

GÖRSEL · evertiq.com

Yarı İletkenlerDuyuruldu

SEMI, küresel 300mm fab ekipman yatırımının 2029'da 227 milyar dolara ulaşacağını öngördü

SEMI, küresel 300mm fab ekipman yatırımının 2029'da 227 milyar dolara ulaşacağını öngördü

SEMI'nin 300mm Fab Outlook raporuna göre küresel 300mm galet ön uç fab ekipman yatırımı 2026'da yıllık yüzde 31 artışla 149 milyar dolara, 2029'a kadar ise 227 milyar dolara ulaşacak. Raporda 2026'da dünya genelinde 20, 2027'de 18 yeni 300mm fab veya üretim hattının inşaata başlayacağı belirtiliyor; ABD'de bu sayı 2026'da 3, 2027'de 4 olacak. Fab inşaat yatırımları 2026'da 47,5 milyar dolara, 2027'de 63,3 milyar dolara, 2028'de ise 68,4 milyar dolara yükselecek.

GÖRSEL · semi.org

Yarı İletkenler

-

Infineon ve NVIDIA, 800 VDC yapay zeka veri merkezleri için GaN tabanlı güç dönüşümünde iş birliğini genişletti

Infineon Technologies AG ile NVIDIA, 800 voltluk doğru akım (VDC) güç mimarilerindeki iş birliklerini yüksek gerilimli ara bara dönüştürücüsü (IBC) üzerinde yoğunlaştırıyor. Duyuru NVIDIA'nın GTC Berlin geliştirici konferansıyla eş zamanlı yapıldı. Galyum nitrür (GaN) teknolojisi IBC kademesinde 1 MHz'e varan anahtarlama frekansı sağlayarak güç yoğunluğunu artırıyor.

GÖRSEL · f001.backblazeb2.com

Yarı İletkenlerDuyuruldu

Kısa radar17 kayıt