Infineon ve NVIDIA, 800 VDC yapay zeka veri merkezleri için GaN tabanlı güç dönüşümünde iş birliğini genişletti

Infineon, NVIDIA ile 800 VDC güç mimarileri üzerindeki iş birliğini derinleştirdiğini açıkladı. Bu çalışma, ilk kez Mayıs 2025'te duyurulan ve Ekim 2025'te ayrıntılandırılan, servis edilebilir ve sıcak değiştirilebilir 800 VDC sunucu rafları üzerine kurulu ortak çalışmayı temel alıyor.

Yeni duyuru NVIDIA'nın GTC Berlin geliştirici konferansı ile aynı zamana denk getirildi. Duyurunun odağında, yapay zeka veri merkezlerinin güç dağıtım zincirindeki en kritik aşamalardan biri olan yüksek gerilimli ara bara dönüştürücüsü (IBC) yer alıyor.

Yapay zeka iş yüklerinin aşırı güç çekişi, veri merkezlerini ana bara gerilimini hızlandırıcı kartlara giden daha düşük gerilimli bir hatta indiren ara bara mimarilerine yöneltti. Bu çok kademeli yaklaşım, kart alanı, termal sınırlar ve kesintisiz çalışma gibi sıkı kısıtlamaları karşılarken dağıtım kayıplarını azaltıyor. Yapay zeka altyapısı büyüdükçe 800 VDC, mevcut AC ve düşük gerilimli DC mimarilerinin yanında ek bir dağıtım seçeneği olarak devreye alınıyor.

Silisyuma kıyasla GaN, güç bileşenlerinin daha hızlı ve daha düşük kayıpla anahtarlama yapmasını sağlıyor; bu da IBC kademesinde 1 MHz'e kadar çıkan anahtarlama frekanslarına olanak tanıyor. Bu durum manyetik bileşenlerin ve pasif elemanların boyutunu önemli ölçüde küçültüp daha yüksek güç yoğunluğu ile daha düşük kart yüksekliği sağlıyor. Infineon, raf başına güç seviyeleri megavat aralığına yaklaşırken GaN'ın düşük iletim ve anahtarlama kayıplarının sınıfının en iyisi dönüşüm verimliliğini desteklediğini belirtiyor.

Infineon ve NVIDIA, veri merkezi güç zincirinin tamamında iş birliği yapıyor. IBC'lerin yanı sıra, Ekim 2025'te duyurulan güç yolu koruma çözümleri de bu kapsama giriyor; bu çözümler sıcak değiştirme kontrolörü işlevselliği gibi güvenlik ve servis unsurlarını hedefliyor ve gelecekteki sunucu kartlarının 800 VDC güç mimarilerinde çalışmasını sağlıyor.