Samsung, Giheung'daki Ar-Ge hattını 2nm HBM taban çip üretimine çevirebilir
GÖRSEL · img.trendforce.com
Samsung'un, Giheung'daki NRD-K araştırma kampüsünde bir hattı 2 nanometre HBM5 taban çip üretimine dönüştürmeyi değerlendirdiği bildirildi. Faaliyetlerin 2028 sonuna kadar başlaması bekleniyor.
Samsung Electronics'in, Güney Kore Giheung'daki NRD-K ileri yarı iletken araştırma kampüsünde bulunan Line 2 hattını, HBM5 ve özel cHBM üretimine yönelik özel bir 2 nanometre döküm hizmeti (foundry) hattına dönüştürmeyi değerlendirdiği bildirildi. Hat, başlangıçta araştırma ve geliştirme amacıyla tasarlanmıştı.
Dönüştürülecek hat, "send-fab" adı verilen bir model altında çalışacak; bu modelde tesis, büyük ölçekli üretim sahalarından kısmen işlenmiş wafer'lar alarak yüksek uçlu üretim adımlarını gerçekleştiriyor. Faaliyetlerin 2028 sonuna kadar başlaması bekleniyor. Sanayi analistlerine göre bir Ar-Ge hattının üretime dönüştürülmesi, genellikle bir sürecin pilot testten hacimli üretime geçecek olgunluğa ve talebe ulaştığını gösteriyor.
Kapasite genişlemesinin öncelikli amacı HBM5 ve özel cHBM üretimi. Samsung, bu bellek çiplerinin taban çiplerinde 2 nanometre kapı-etrafı-sarmalı transistör (GAA) teknolojisini uygulamayı planlıyor; bu sayede mevcut HBM4E standartlarına kıyasla %50 hız artışı ve önemli ölçüde daha iyi güç verimliliği hedefleniyor. Şirket, 2nm ve altı teknolojilere odaklanan, 2030'a kadar 200 milyar doları aşan tahmini değere sahip Broadcom ile stratejik iş birliği anlaşmasını daha önce güvence altına almıştı.
Samsung'un döküm hizmeti işinin 2026'nın ikinci yarısında %100 kapasite kullanım oranına ulaşması hedefleniyor. Şirket, 2026'da 2 nanometre proje kazanımlarının bir önceki yıla göre iki kattan fazla artmasını bekliyor. NRD-K Line 2'nin dönüşümü nispeten küçük ölçekli olsa da, Taylor, Teksas fabrikası gibi daha büyük tesisler seri üretime ulaşana kadar kapasite açısından kritik bir köprü işlevi görecek.