CXMT, G5 DRAM platformuyla seri üretime geçti, kalıp sayısı %50 arttı

GÖRSEL · img.trendforce.com
Çinli bellek üreticisi CXMT, beşinci nesil DRAM teknolojisi G5 Platformu'nu seri üretime aldı. Yeni platformda kendinden hizalı dörtlü desenleme (SAQP) tekniğiyle bellek dizisinin aktif alan yarı-adımı 11,95 nanometreye indirildi. Wafer başına kalıp sayısı önceki nesle göre en az %50 arttı.
CXMT, beşinci nesil DRAM teknolojisi G5 Platformu'nu seri üretime aldığını açıkladı. Platform üzerinde üretilen iki LPDDR5X ürünü de aynı anda üretime başladı. Şirket bu duyuruyu, LPDDR6 bellek üretimini ve Xiaomi 18 Fold cihazındaki ilk kullanımını duyurmasının kısa süre sonrasında yaptı.
G5 Platformu'nda kullanılan SAQP tekniği, bellek dizisinin aktif alan yarı-adımını 11,95 nanometreye kadar küçültmeyi başardı. CXMT, bu ilerlemenin şirketi dünyanın en gelişmiş seri üretim DRAM teknolojilerine yaklaştırdığını belirtiyor. Wafer başına kalıp sayısı önceki nesle kıyasla en az %50 yükseldi; bu artış hem güç verimliliğini hem de maliyet rekabetçiliğini iyileştiriyor.
Süreç akışı optimizasyonu ve yeni malzemelerin entegrasyonuyla G5 Platformu'nda dizi-kapasitör en-boy oranı 45:1 seviyesine ulaştı. DRAM'e özel optimize edilmiş yüksek-k metal geçit (HKMG) süreciyle çekirdek hücre dizisi yüksekliği 6.762 nanometreye düşürüldü.
CXMT, Hefei'de düzenlenen 2026 Dünya İmalat Konvansiyonu'nda G5 Platformu tabanlı iki LPDDR5X ürününü tanıttı. Her iki ürün de kalıp başına 24Gb kapasite sunuyor; bu, önceki nesil karşılaştırılabilir ürünlere göre %50'lik bir artışa denk geliyor. Sırasıyla 496 top ve 245 top paketlerde sunulan çipler akıllı telefonlar ve taşınabilir tüketici elektroniği için tasarlandı ve halihazırda seri üretime girdi.