CXMT, dörtlü desenlemeyle 5. nesil DRAM sürecine geçti
Çinli bellek üreticisi CXMT, G5 adını verdiği 5. nesil DRAM sürecinde dörtlü desenleme litografisiyle 11,95 nanometrelik aktif alan yarı adımına ulaştı. Yeni süreçte depolama kapasitörlerinde 45:1 derinlik-genişlik oranı elde edildi ve ilk seri üretim ürünü olan 24Gb LPDDR5X, önceki ürünlere göre yüzde 50 daha fazla kapasite sunuyor. Bu çipler zaten Çin amiral gemisi akıllı telefonlarında kullanılmaya başlandı.
CXMT, G5 olarak adlandırdığı 5. nesil DRAM sürecinde seri üretime başladığını açıkladı. Dörtlü desenleme litografisi kullanılarak DRAM'in aktif alan yarı adımı 11,95 nanometreye düşürüldü. Bu değer 23,9 nanometrelik bir aktif alan adımına karşılık geliyor ve diğer gelişmiş 10 nanometre sınıfı DRAM teknolojileriyle kabaca aynı aralıkta yer alıyor. Ancak şirket bu rakamın geleneksel bir DRAM node adlandırmasına doğrudan çevrilemeyeceğini belirtiyor. Ayrıca DRAM'e özel yüksek-K metal geçit (HKMG) süreciyle çekirdek hücre dizisi yüksekliği 6.762 nanometreye indirildi.
CXMT, süreç akışında değişiklik yaparak ve açıklanmayan yeni malzemeler kullanarak depolama kapasitörlerinde yaklaşık 45:1 derinlik-genişlik oranına ulaştığını söylüyor. SK hynix'e göre kritik boyutlar 10 nanometrenin altına indikçe kapasitör oranının 100:1'i aşması gerekecek. Yüksek oranlar aşındırma, biriktirme, mekanik dayanıklılık ve yüksek verimli üretim açısından zorlukları artırıyor.
G5 sürecini kullanan ilk seri üretim ürünleri 24Gb LPDDR5X çipleri oldu ve bu ürünler zaten seri üretime girdi. Çipler, önceki karşılaştırılabilir CXMT ürünlerine göre yüzde 50 daha fazla kapasite sunuyor ve farklı mobil cihaz tasarımları için iki ayrı paket formatında sunuluyor. Çin kaynaklı bir habere göre bu 24Gb LPDDR5X ürünleri şimdiden Çin'in amiral gemisi akıllı telefonlarında kullanılmaya başlandı.
Bazı önemli çekinceler de bulunuyor. CXMT'nin 11,95 nanometre rakamı geleneksel bir süreç node'u değil, aktif alan yarı adımını temsil ediyor; bu nedenle G5'i 12 nanometre süreç olarak adlandırmak büyük bir basitleştirme sayılıyor. Açıklanan iki fiziksel boyut, Micron, Samsung ve SK hynix'in en son DRAM süreçleriyle teknolojik eşitlik anlamına gelmiyor; çünkü yoğunluk, kapasitör ölçeklendirmesi, transistör özellikleri, güç tüketimi ve en önemlisi verim gibi faktörler de belirleyici. CXMT, G5'in G4'e göre gofret başına en az yüzde 50 daha fazla brüt die sağladığını söylese de somut rakamlar paylaşılmadığı için bu iddia doğrulanamıyor. Şirket ayrıca verim oranlarını açıklamadı; bu da üretkenlikteki artışın, sağlam die sayısının veya bit başına gerçek üretim maliyetinin belirlenmesini imkansız kılıyor.